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型号 IRFBG30
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
IRFBG30 PDF
代理商 IRFBG30
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 5 欧姆 @ 1.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 980pF @ 25V
功率 - 最大 125W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRFBG30
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